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コード:0760557855699
ブランド:トランセンドジャパン
規格:TS256GMTS402M
サイズ情報:256GB
商品重量:10
この商品について
以外で購入された商品につきましては日本国内保証対象外となります。
トランセンドの2D MLC NAND搭載 M.2 2242サイズ、SATA-III 6Gb/s インターフェースを備えたMTS402M M.2 SSDは、DRAMキャッシュを搭載し、30μインチの金端子を持つPCB基板、コーナー ボンド技術、および耐硫黄抵抗器搭載により、様 な市場で評価をいただいています。
製品仕様: フォームファクタ=M.2 2242 2242-D2-B-M 両面実装バスインターフェース=SATA III 6Gb/sサイズ=42.0mm x 22.0mm x 3.58mm搭載NANDフラッシュ= 2D(2bit) MLC NANDフラッシュ容量ラインナップ= 32GB / 64GB / 128GB / 256GB / 512GB
最大読出し/書込み速度=読出し:530MB/s(Random IOPS: 70K) 書込み:400MB/s(Random IOPS: 70K) TBW: 256GB= 740TB 動作電圧 : 3.3V 5% 動作環境温度: 0 70保管温度: -55 85湿度: 5% 95%
耐振動(動作時) 20G (最大振幅) 7Hz 2 000Hz (周波数)耐衝撃: 加速度: 1500G、0.5ms、3軸消費電力:動作時=1.52W、スリープ時=0.43WMTBF:2 500 000時間DWPD: 2デジタルストレージ容量256 GB
ハードディスクインターフェイスSerial ATA-600
接続技術SATA
ブランドトランセンドジャパン
ハードディスクフォームファクタ2.5 インチ
対応デバイスデスクトップ
ハードディスク容量740 TB
付属コンポーネントなし
読み取り速度530 Megabytes Per Second
キャッシュサイズ256 GB
発送サイズ: 高さ16.1、幅7.9、奥行き2.1
発送重量:20
MTS402Mシリーズ アピールポイント
1:高品質な2D(2bit) MLC NAND搭載 信頼性の高いSSDをご提供します。
2:DRAMキャッシュ搭載し、高速 安定した動作が可能です
製品特徴
トランセンドの業務用/産業用のM.2 2242 SATA3 SSD
P/Eサイクルが3Kの高品質2D MLC NANDフラッシュを採用
TBW: 32GB = 90TB / 64GB = 180TB / 128GB = 360TB / 256GB = 740TB / 512GB = 1 100TB
S.M.A.R.T.機能に対応し、ストレージデバイスの状態を監視/分析/報告
データ転送の信頼性を高めるLDPC ECC機能搭載
Early Move機能搭載
Read Retry機能搭載
グローバルウェアレベリング機能搭載
ブロックマネジメント機能搭載
ガベージコレクション対応
TRIM/NCQコマンドに対応
耐久性: 3K P/Eサイクル
主要部品にコーナーボンドを適用し耐久性を向上
30uインチ厚のPCB金端子部により信頼性向上
空気中の硫黄成分との化学反応を抑制する硫化対策チップ抵抗器を使用
データアクセス中に電断が発生した場合のデバイス障害のリスクを低減し、データの整合性を確保するPower Shield機能搭載
動作温度:0 ~-70
保存温度:-55 ~85
RoHS2.0指令対応製品
三年保証
製品スペック
Drive Capacity/User-Addressable Sectors
32GB: 62 533 296 (Byte per Sector:512 Byte)
64GB: 125 045 424 (Byte per Sector:512 Byte)
128GB: 250 069 680 (Byte per Sector:512 Byte)
256GB: 500 118 192 (Byte per Sector:512 Byte)
512GB: 1 000 215 216 (Byte per Sector:512 Byte)
Sequential Read / Write Performance
32GB: Sequential Read = 280MB/s
32GB: Sequential Write = 50MB/s
64GB: Sequential Read = 530MB/s
64GB: Sequential Write = 105MB/s
128GB: Sequential Read = 530MB/s
128GB: Sequential Write = 200MB/s
256GB: Sequential Read = 530MB/s
256GB: Sequential Write = 400MB/s
512GB: Sequential Read = 530MB/s
512GB: Sequential Write = 470MB/s
*The recorded performance is obtained while the SSD is not operated as an OS disk Physical Specification.
Random Read / Write Performance
32GB: Random Read IOPS (4K) = 25K
32GB: Random Write IOPS (4K) = 10K
64GB: Random Read IOPS (4K) = 50K
64GB: Random Write IOPS (4K) = 25K
128GB: Random Read IOPS (4K) = 70K
128GB: Random Write IOPS (4K) = 50K
256GB: Random Read IOPS (4K) = 70K
256GB: Random Write IOPS (4K) = 70K
512GB: Random Read IOPS (4K) = 70K
512GB: Random Write IOPS (4K) = 70K
*The recorded performance is obtained while the SSD is not operated as an OS disk Physical Specification.
Supply Voltage
Allowable voltage: 3.3V 5%
Allowable noise / ripple: 100mV p-p or less
Power Consumption
32GB: Active Write (Max.) = 0.78W
32GB: Active Read (Max.) = 0.73W
32GB: Idel = 0.4W
64GB: Active Write (Max.) = 1.06W
64GB: Active Read (Max.) = 0.73W
64GB: Idel = 0.41W
128GB: Active Write (Max.) = 1.52W
128GB: Active Read (Max.) = 0.76W
128GB: Idel = 0.41W
256GB: Active Write (Max.) = 1.52W
256GB: Active Read (Max.) = 0.96W
256GB: Idel = 0.43W
512GB: Active Write (Max.) = 2.48W
512GB: Active Read (Max.) = 1.58W
512GB: Idel = 0.48W
*The power consumption is measured under SSD operation at maximum performance. The value is affected by system operation performance and workload.
UBER Specifications
32GB: 10^-15
64GB: 10^-15
128GB: 10^-15
256GB: 10^-15
512GB: 10^-15
*Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) is a metric for the rate of occurrence of data errors equal to the number of data errors per bits read as specified in the JESD218 document of JEDEC standard. For the client application JEDEC recommends that UBER shall be below 10^-15.
DWPD
32GB: 2
64GB: 2
128GB: 2
256GB: 2
512GB: 2
機能説明
グローバルウェアレベリング
すべてのブロックの消去回数を均等になるように動作しますので、それによりSSDの寿命を延ばすのに役立ちます。
バッドブロックマネジメント
ECC エラー、Programエラー、またはEraseエラーが起こった場合に動作し、将来的にデータ損失を引き起こす可能性のあるバッドブロックの使用防止に繋がります。
パワーシールド
パワーシールド (PS) は、トランセンドのすべての産業用SSDでサポートされている基本テクノロジーで、SSDコントローラの内部電圧検出回路 VDT が外部電源を監視する事で、瞬断 瞬停等によるNAND上のデータ損失防止を強化する機能です。
瞬断 瞬停等による電圧低下が発生した場合、内部の電源シールド回路がPS機能をトリガーし、SSDコントローラーは新しい書き込みコマンドの受け入れを停止し、NAND フラッシュの既存データの整合性を確保します。
Early Move
Early Move機能によって、潜在的なデータ エラーを検出 修正します。 ブロック内のエラービットがしきい値に達した場合、デ